Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 831-2825
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-445
- Tillv. art.nr:
- IRF5210STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
239,23 kr
(exkl. moms)
299,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 405 enhet(er) levereras från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 47,846 kr | 239,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 831-2825
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-445
- Tillv. art.nr:
- IRF5210STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 38A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 38A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanals Power MOSFET 100V till 150V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar P-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar inom kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 5.6 A 20 V Förbättring, 2 Ben, TO-263, HEXFET