Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

247,30 kr

(exkl. moms)

309,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 504,946 kr247,30 kr
100 - 2003,562 kr178,10 kr
250 - 4503,315 kr165,75 kr
500 - 12003,116 kr155,80 kr
1250 +2,867 kr143,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3047
Tillv. art.nr:
IPD50R1K4CEAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.83V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

25W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.2nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.22 mm

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 500V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. This series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

Pb-free plating, Halogen free mold compound

Relaterade länkar