Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

160,30 kr

(exkl. moms)

200,375 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 16 800 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +6,412 kr160,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2617
Tillv. art.nr:
IRFR220NTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Standards/Approvals

No

Height

10.41mm

Distrelec Product Id

304-39-419

Automotive Standard

No

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

Capable of being wave-soldered

relaterade länkar