Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2548
- Tillv. art.nr:
- IPN70R450P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
95,42 kr
(exkl. moms)
119,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 720 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 4,771 kr | 95,42 kr |
| 100 - 180 | 3,819 kr | 76,38 kr |
| 200 - 480 | 3,584 kr | 71,68 kr |
| 500 - 980 | 3,293 kr | 65,86 kr |
| 1000 + | 3,052 kr | 61,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2548
- Tillv. art.nr:
- IPN70R450P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 6.2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.8mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.
Extremely low losses due to very low FOMR DS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss
Excellent thermal behaviour
Integrated ESD protection diode
Low switching losses(Eoss)
Product validation acc. JEDEC Standard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 6.5 A 700 V Förbättring SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal 4.5 A 800 V Förbättring SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal 3 A 700 V Förbättring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 3 A 700 V Förbättring SOT-223, IPN70R
- Infineon Typ N Kanal 100 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 6 A 600 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 3 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring SOT-223, 700V CoolMOS P7