Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 217-2504
- Tillv. art.nr:
- IPB60R080P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
207,65 kr
(exkl. moms)
259,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 510 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 41,53 kr | 207,65 kr |
| 10 - 20 | 36,556 kr | 182,78 kr |
| 25 - 45 | 34,452 kr | 172,26 kr |
| 50 - 120 | 31,988 kr | 159,94 kr |
| 125 + | 29,478 kr | 147,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2504
- Tillv. art.nr:
- IPB60R080P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 129W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.45 mm | |
| Längd | 10.31mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 129W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.45 mm | ||
Längd 10.31mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor R G
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 37 A 600 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 11.4 A 600 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 24 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31.2 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 145 A 700 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 80 A 40 V Förbättring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 70 A 100 V Förbättring TO-263, CoolMOS AEC-Q101