Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S407AKSA2

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

203,03 kr

(exkl. moms)

253,79 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4020,303 kr203,03 kr
50 - 9019,309 kr193,09 kr
100 - 24017,382 kr173,82 kr
250 - 49015,624 kr156,24 kr
500 +14,874 kr148,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2548
Tillv. art.nr:
IPP80N06S407AKSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS® -T2 Power-Transistor series has 60V maximum drain source voltage with TO-220 package type. It is N-Channel with 7.1 mΩ max maximum drain source resistance.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

relaterade länkar