Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 451,50 kr

(exkl. moms)

1 814,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +29,03 kr1 451,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9087
Tillv. art.nr:
IPP120N08S403AKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-220

Serie

OptiMOS-T2

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

128nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.57 mm

Höjd

9.45mm

Längd

10.36mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and Strong IRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

The product is AEC Q101 qualified

It has 175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Relaterade länkar

Recently viewed