Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-8959
Tillv. art.nr:
AUIRFS4115-7TRL
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

105A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

11.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

380W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.54mm

Bredd

9.65 mm

Höjd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Automotive Qualified

Relaterade länkar