Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 523 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-8963
- Tillv. art.nr:
- AUIRFSA8409-7TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
423,36 kr
(exkl. moms)
529,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 84,672 kr | 423,36 kr |
| 10 - 20 | 76,204 kr | 381,02 kr |
| 25 - 45 | 71,12 kr | 355,60 kr |
| 50 - 120 | 66,036 kr | 330,18 kr |
| 125 + | 60,972 kr | 304,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8963
- Tillv. art.nr:
- AUIRFSA8409-7TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 523A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.69mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 305nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 523A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.69mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 305nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons HEXFET Power MOSFET-transistorer använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselområde. Ytterligare funktioner i denna design är 175 °C kopplingstemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning. Dessa funktioner kombineras för att göra denna design till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning i fordonstillämpningar och ett brett utbud av andra tillämpningar.
Avancerad processteknik
Nytt ultralåg påslagningsresistans
Godkänd för fordonsindustrin
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 523 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 522 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 340 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101