Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4473
- Tillv. art.nr:
- IRLR9343TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
6 334,00 kr
(exkl. moms)
7 918,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 3,167 kr | 6 334,00 kr |
| 4000 + | 3,088 kr | 6 176,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4473
- Tillv. art.nr:
- IRLR9343TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 170mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 170mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon Digital Audio HEXFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
It has repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -11 A -55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 11 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 18 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 61 A 55 V HEXFET
