Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

6 334,00 kr

(exkl. moms)

7 918,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 - 20003,167 kr6 334,00 kr
4000 +3,088 kr6 176,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4473
Tillv. art.nr:
IRLR9343TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

79W

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

47nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

This Infineon Digital Audio HEXFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

It has repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

Relaterade länkar