Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin TO-263 IRF1404ZSTRLPBF

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

130,10 kr

(exkl. moms)

162,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +13,01 kr130,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4442
Tillv. art.nr:
IRF1404ZSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche

It is lead-free

relaterade länkar