Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

732,15 kr

(exkl. moms)

915,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5014,643 kr732,15 kr
100 - 20012,006 kr600,30 kr
250 - 45011,128 kr556,40 kr
500 - 95010,544 kr527,20 kr
1000 +10,105 kr505,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4415
Tillv. art.nr:
IPP60R180P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.93 mm

Height

4.4mm

Length

10.2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

relaterade länkar