Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

18 547,50 kr

(exkl. moms)

23 185,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,419 kr18 547,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4383
Tillv. art.nr:
IPD60R180P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

180mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

72W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.42 mm

Längd

6.65mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.35mm

Fordonsstandard

Nej

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Relaterade länkar