Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R360P7ATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

109,665 kr

(exkl. moms)

137,085 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +7,311 kr109,67 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4388
Tillv. art.nr:
IPD60R360P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

relaterade länkar