Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

109,665 kr

(exkl. moms)

137,085 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 355 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +7,311 kr109,67 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4388
Tillv. art.nr:
IPD60R360P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

41W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.42 mm

Längd

6.65mm

Höjd

2.35mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Relaterade länkar