Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD530N15N3GATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

133,545 kr

(exkl. moms)

166,935 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 11 460 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 608,903 kr133,55 kr
75 - 1358,458 kr126,87 kr
150 - 3608,088 kr121,32 kr
375 - 7357,747 kr116,21 kr
750 +7,209 kr108,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4381
Tillv. art.nr:
IPD530N15N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

relaterade länkar