Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

12 072,50 kr

(exkl. moms)

15 090,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,829 kr12 072,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4380
Tillv. art.nr:
IPD530N15N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

relaterade länkar