Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-9036P
Tillv. art.nr:
IPD30N06S223ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

23mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

100W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

6.22 mm

Höjd

2.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. These are robust packages with superior quality and reliability.

It is Automotive AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature