Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 601,00 kr

(exkl. moms)

10 752,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,867 kr8 601,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-5046
Tillv. art.nr:
SQJ152ELP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

123A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SQJ152ELP

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

136W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Bredd

6.25 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 123 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar