Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ150EP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

9 927,00 kr

(exkl. moms)

12 408,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,309 kr9 927,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-5044
Tillv. art.nr:
SQJ150EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SQJ150EP

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

6.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

65W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

6.25 mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 66 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

Relaterade länkar