Vishay N Kanal, MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- RS-artikelnummer:
- 200-6828
- Tillv. art.nr:
- SIHD690N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 200-6828
- Tillv. art.nr:
- SIHD690N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIHD690N60E-GE3 är en Effekt-MOSFET i E-serien.
4:e generationens E-seriens teknik
Låg meritfaktor
Låg effektiv kapacitans
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Avalanche Energy Rating (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E