onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB125N65S3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

273,39 kr

(exkl. moms)

341,74 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 715 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4554,678 kr273,39 kr
50 - 9547,13 kr235,65 kr
100 +40,858 kr204,29 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
205-2470
Tillv. art.nr:
FCB125N65S3
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SUPERFET III

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

181W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

9.6 mm

Length

14.6mm

Height

4.6mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor SUPERFET III series N-Channel MOSFET is high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Continuous Drain Current rating is 24A

Drain to source on resistance rating is 125mohm

Ultra low gate charge

Low stored energy in output capacitance

100% avalanche tested

Package type is D2-PAK

relaterade länkar