onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L040N120SC1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

218,50 kr

(exkl. moms)

273,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 630 enhet(er) levereras från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +109,25 kr218,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5699
Tillv. art.nr:
NTH4L040N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Power Dissipation Pd

319W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

3.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.8mm

Height

22.74mm

Width

5.2 mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, Boost inverter, Industrial Motor Drive, PV Charger.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

relaterade länkar