onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL060N065SC1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

92,51 kr

(exkl. moms)

115,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 641 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 992,51 kr
10 +79,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-5820
Tillv. art.nr:
NTHL060N065SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 176 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.

Ultra low gate charge 74 nC

Low capacitance 133 pF

100 percent avalanche tested

Temperature 175°C

RDS(on) 44 mohm

relaterade länkar