STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 188-8395
- Tillv. art.nr:
- STD11N65M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
85,48 kr
(exkl. moms)
106,85 kr
(inkl. moms)
Lägg till 30 enheter för att få fri frakt
I lager
- 2 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 17,096 kr | 85,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8395
- Tillv. art.nr:
- STD11N65M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 680mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 85W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.17mm | |
| Bredd | 6.2 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 680mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal effektförlust Pd 85W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.17mm | ||
Bredd 6.2 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS) profile
Zener-protected
Applications
Switching applications
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7 A 650 V Förbättring TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.5 A 650 V Förbättring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4.5 A 650 V Förbättring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 650 V Förbättring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 650 V Förbättring TO-252, STD AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal 7 A 650 V Förbättring TO-252