Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA100N60E-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

111,33 kr

(exkl. moms)

139,162 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1855,665 kr111,33 kr
20 - 4850,12 kr100,24 kr
50 - 9847,43 kr94,86 kr
100 - 19844,465 kr88,93 kr
200 +41,775 kr83,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4970
Tillv. art.nr:
SIHA100N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.3mm

Height

15.3mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

relaterade länkar