Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 2.2 A 600 V, 3 Ben

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

423,45 kr

(exkl. moms)

529,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +8,469 kr423,45 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
180-8314
Tillv. art.nr:
IRFBC20SPBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Fästetyp

Genomgående hål, Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.4Ω

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishay IRFBC20S är en N-kanals effekt-MOSFET med en dränerings-till-källa-spänning (Vds) på 600 V. Gate-till-källa-spänningen (VGS) är 20 V. Den har I2PAK (TO-262) och D2PAK (TO-263) hölje. Den har ett dräneringsmotstånd (RDS) på 4,4 ohm vid 10 VGS. Maximal avloppsström 2,2 A.

Ytmontering

Dynamisk dV/dt-klassning

150 °C driftstemperatur

Snabbväxlande

Fullständigt lavinklassad

Relaterade länkar