Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.2 A 600 V, 3 Ben, TO-220AB
- RS-artikelnummer:
- 180-8656
- Tillv. art.nr:
- IRFBC40APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
118,27 kr
(exkl. moms)
147,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 635 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,654 kr | 118,27 kr |
| 50 - 120 | 21,28 kr | 106,40 kr |
| 125 - 245 | 20,07 kr | 100,35 kr |
| 250 - 495 | 18,928 kr | 94,64 kr |
| 500 + | 17,718 kr | 88,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8656
- Tillv. art.nr:
- IRFBC40APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 10.52 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 6.71mm | |
| Längd | 14.4mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 10.52 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 6.71mm | ||
Längd 14.4mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-220-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 600V and maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 1.20mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 125W. The product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Effective coss specified
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt
• Lead (Pb) free component
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
Applications
• High speed power switching
• Switch mode power supply (SMPS)
• Uninterruptible power supplies
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.2 A 600 V, 3 Ben, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 21 A 600 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 5.2 A 200 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 16 A 500 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 15 A 50 V, 3 Ben, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 18 A 50 V, TO-220AB