Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

103,15 kr

(exkl. moms)

128,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2254,126 kr103,15 kr
250 - 6003,916 kr97,90 kr
625 - 12252,975 kr74,38 kr
1250 - 24752,684 kr67,10 kr
2500 +2,267 kr56,68 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-7932
Tillv. art.nr:
SI8483DB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

MICRO FOOT

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.59mm

Standards/Approvals

No

Length

1.5mm

Width

1 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

relaterade länkar