Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

74,55 kr

(exkl. moms)

93,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +2,982 kr74,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-7724
Tillv. art.nr:
SI8802DB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

8V

Package Type

MICRO FOOT

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

54mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

0.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

0.8mm

Width

0.8 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix SI8802DB series TrenchFET N channel power MOSFET has drain to source voltage of 8 V. It is maximum power dissipation of 0.9 W and mainly used in Load switch with low voltage drop.

Low on-resistance

Halogen free

Pb free

relaterade länkar