Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET, -4.5 A, -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

98,90 kr

(exkl. moms)

123,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 360 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,945 kr98,90 kr
200 - 4804,85 kr97,00 kr
500 - 9803,719 kr74,38 kr
1000 - 19802,963 kr59,26 kr
2000 +2,475 kr49,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-7884
Tillv. art.nr:
SIA931DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

SIA931DJ

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.1nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.15 mm

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.

Trench FET Gen III power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance

100 % Rg tested

relaterade länkar