Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

93,54 kr

(exkl. moms)

116,925 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 915 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4518,708 kr93,54 kr
50 - 12016,664 kr83,32 kr
125 - 24513,098 kr65,49 kr
250 - 49510,858 kr54,29 kr
500 +9,91 kr49,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-7922
Tillv. art.nr:
SI7216DN-T1-E3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SI7216DN

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

20.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

relaterade länkar