Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, TO-220AB, E

RS-artikelnummer:: 180-7790
Tillv. art.nr:: SIHP25N50E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, TO-220AB, E

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

166,66 kr

(exkl. moms)

208,325 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 280 enhet(er) från den 23 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	33,332 kr	166,66 kr
50 - 120	30,662 kr	153,31 kr
125 - 245	28,314 kr	141,57 kr
250 - 495	26,666 kr	133,33 kr
500 +	24,982 kr	124,91 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7790
Tillv. art.nr:: SIHP25N50E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	26A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Serie	E
	Kapseltyp	TO-220AB
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	0.145Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	86nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	250W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	±30 V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	14.4mm
	Höjd	6.71mm
	Bredd	10.52 mm
	Antal element per chip	1
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Serie E
	Kapseltyp TO-220AB
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 0.145Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 250W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs ±30 V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Transistorkonfiguration Enkel
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 14.4mm
	Höjd 6.71mm
	Bredd 10.52 mm
	Antal element per chip 1
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay through-hole mount N-channel TO-220AB-3 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 500V and a maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 145mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 250W and continuous drain current of 26A. It has a driving voltage of 10V. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg

• Low gate charge (Qg)

• Low input capacitance (Ciss)

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• Reduced switching and conduction losses

Applications

• Hard switched topologies

• PC silver box/ATX power supplies

• Power factor correction power supplies (PFC)

• Switch mode power supplies (SMPS)

• Two-stage LED lighting

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS tested