Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
180-7295
Tillv. art.nr:
SI4825DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

20.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.2W

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.2 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 25V. It has drain-source resistance of 12.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5W and continuous drain current of 14.9A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Load Switch

• Notebook Adaptor Switch

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Relaterade länkar