Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 19.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7285
Tillv. art.nr:: SI4204DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 19.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

24 642,50 kr

(exkl. moms)

30 802,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 mars 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	9,857 kr	24 642,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7285
Tillv. art.nr:: SI4204DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	19.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.006Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	3.25W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	30nC
	Transistorkonfiguration	Dubbel
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.05mm
	Höjd	1mm
	Bredd	1.65 mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SO-8
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.006Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 3.25W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC
	Transistorkonfiguration Dubbel
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.05mm
	Höjd 1mm
	Bredd 1.65 mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. It also has drain-source resistance of 4.6mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 19.8A. The MOSFET has a maximum power rating of 3.25W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC Converter

• Fixed Telecommunication

• Notebook PC

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested