Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

80,53 kr

(exkl. moms)

100,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 860 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +8,053 kr80,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3932
Tillv. art.nr:
SiZ348DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

16.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Height

0.75mm

Width

3 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

relaterade länkar