Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 24.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

103,58 kr

(exkl. moms)

129,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +10,358 kr103,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3903
Tillv. art.nr:
SQJ872EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

55W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5 mm

Längd

5.99mm

Höjd

1.07mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterade länkar