Vishay Siliconix 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3893
- Tillv. art.nr:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
152,32 kr
(exkl. moms)
190,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Försörjningsbrist
På grund av begränsningar i försörjningskedjan tilldelas lager allt eftersom det blir tillgängligt.
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,232 kr | 152,32 kr |
| 100 - 490 | 14,762 kr | 147,62 kr |
| 500 - 990 | 14,381 kr | 143,81 kr |
| 1000 + | 14,00 kr | 140,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3893
- Tillv. art.nr:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 34W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 5 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Längd | 5.99mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 34W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 5 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.07mm | ||
Längd 5.99mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual channel (both N and P-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V. It has drain-source resistance of 17mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 34W and a continuous drain current of 30A. The MOSFET has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality. It is applicable in the automotive industry.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix 2 Typ N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 9.4 A 200 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 30 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 16 A 80 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 24.5 A 150 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 75 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel 6 A 40 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel 6 A 60 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101