Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TN2106

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

125,78 kr

(exkl. moms)

157,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +6,289 kr125,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-9842
Tillv. art.nr:
TN2106K1-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

280mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TN2106

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

360mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.02mm

Längd

3.04mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4 mm

Fordonsstandard

Nej

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Relaterade länkar