Microchip Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TP0610T
- RS-artikelnummer:
- 333-219
- Tillv. art.nr:
- TP0610T-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
20 235,00 kr
(exkl. moms)
25 293,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Ny produkt − Förbeställ idag
- Leverans från den 11 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,745 kr | 20 235,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 333-219
- Tillv. art.nr:
- TP0610T-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TP0610T | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TP0610T | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips MOSFET är en transistor med låg tröskel, förstärkningsläge som använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad process för tillverkning av kiselgrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Karaktäristisk för alla MOS-strukturer, denna enhet är fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundär nedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög utbrytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Lågt tröskelvärde
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg påslagningsresistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -120 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, VP2110
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET med P-kanal och Trench, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV48XP
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -200 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 0.6 A 40 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -4.3 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP3056L
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -3.8 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP3099L
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2301L
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -600 mA -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP2004K