Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TN2106
- RS-artikelnummer:
- 177-9691
- Tillv. art.nr:
- TN2106K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
14 436,00 kr
(exkl. moms)
18 045,00 kr
(inkl. moms)
Lägg till 3000 enheter för att få fri frakt
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,812 kr | 14 436,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-9691
- Tillv. art.nr:
- TN2106K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 280mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TN2106 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Bredd | 1.4 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TN2106 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Bredd 1.4 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal 280 mA 60 V Förbättring SOT-23, TN2106
- Microchip Typ N Kanal 300 mA 60 V Förbättring TO-92, TN2106
- onsemi Typ N Kanal 280 mA 60 V Förbättring SOT-23, NDS7002A
- Microchip Typ P Kanal 3 Ben TP0610T
- Microchip Typ P Kanal -120 mA 100 V Förbättring SOT-23, VP2110
- Microchip Typ N Kanal 115 mA 60 V Förbättring SOT-23, 2N7002
- Microchip Typ N Kanal 140 mA 240 V MOSFET SOT-23
- Microchip Typ N Kanal 250 mA 300 V MOSFET SOT-23