STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STripFET H7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

31 424,00 kr

(exkl. moms)

39 280,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +31,424 kr31 424,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7106
Tillv. art.nr:
STH270N8F7-2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

STripFET H7

Kapseltyp

H2PAK

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

315W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

193nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.8 mm

Höjd

4.8mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar