Vishay Dual P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

Se alla MOSFETs
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
165-6899
Tillv. art.nr:
SI1025X-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

135 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SC-89-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 15 V

Number of Elements per Chip

2

Length

1.7mm

Width

1.2mm

Height

0.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

COO (Country of Origin):
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

relaterade länkar