STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STripFET H7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

34 798,00 kr

(exkl. moms)

43 498,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +34,798 kr34 798,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6593
Tillv. art.nr:
STH310N10F7-2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

H2PAK

Serie

STripFET H7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

315W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

180nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.8mm

Längd

15.8mm

Bredd

10.4 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar