P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3

RS-artikelnummer:: 165-6285
Tillv. art.nr:: SQ4431EY-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3

Price Var (i en rulle med 2500)**

4,207 kr

(exkl. moms)

5,259 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2025-12-26*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
2500 +	4,207 kr	10 517,50 kr

RS-artikelnummer:: 165-6285
Tillv. art.nr:: SQ4431EY-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SQ4431EY, Automotive P-Channel 30V (D-S) 175degC MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6.2 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Series	SQ Rugged
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	52 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	6 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	25 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Width	4mm
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Length	5mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor