Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 12 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB40UNEZ

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

62,275 kr

(exkl. moms)

77,85 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 10 000 enhet(er) levereras från den 20 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1002,491 kr62,28 kr
125 - 12251,093 kr27,33 kr
1250 - 24751,03 kr25,75 kr
2500 - 37251,004 kr25,10 kr
3750 +0,981 kr24,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
153-1958
Tillv. art.nr:
PMXB40UNEZ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

121mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

8.33W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

66nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.36mm

Length

1.15mm

Width

1.05 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

12 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV

Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 34 mΩ

Very low threshold voltage of 0.65 V for portable applications

Low-side load switch and charging switch for portable devices

Power management in battery-driven portables

LED driver

DC-to-DC converters

relaterade länkar