ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001

Se alla MOSFETs

Antal (1 enhet)*

10 596,88 kr

(exkl. moms)

13 246,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +10 596,88 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
144-2260
Tillv. art.nr:
BSM300D12P2E001
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

BSM

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1875W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

17mm

Length

152mm

Width

57.95 mm

Number of Elements per Chip

2

COO (Country of Origin):
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

relaterade länkar