Sök efter MPN

ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

RS-artikelnummer:: 144-2257
Tillv. art.nr:: BSM120D12P2C005
Tillverkare / varumärke:: ROHM

ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

4 765,94 kr

(exkl. moms)

5 957,42 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 juni 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 - 4	4 765,94 kr
5 - 9	4 642,06 kr
10 - 24	4 522,78 kr
25 +	4 408,43 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 144-2257
Tillv. art.nr:: BSM120D12P2C005
Tillverkare / varumärke:: ROHM

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	ROHM
	Product Type	SiC Power Module
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	240A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	BSM
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Transistor Configuration	Half Bridge
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	122mm
	Width	45.6 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	17mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand ROHM
	Product Type SiC Power Module
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 240A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series BSM
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Transistor Configuration Half Bridge
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 122mm
	Width 45.6 mm
	Standards/Approvals No
	Height 17mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

SiC Power Modules, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

relaterade länkar