Vishay N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR158DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

165,20 kr

(exkl. moms)

206,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +33,04 kr165,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9718
Tillv. art.nr:
SIR158DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

87 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Forward Diode Voltage

1.1V

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

relaterade länkar