STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

112,18 kr

(exkl. moms)

140,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 581 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +112,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
111-6487
Tillv. art.nr:
STW70N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

42mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

121nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

446W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Bredd

5.15 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar