STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

80,75 kr

(exkl. moms)

100,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 480,75 kr
5 - 976,61 kr
10 - 2469,10 kr
25 - 4962,27 kr
50 +59,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
111-6485
Tillv. art.nr:
STW56N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

90nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Maximal effektförlust Pd

360W

Framåtriktad spänning Vf

-5.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar